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大家都知道固态硬盘的速度快得惊人，但存储容量（以及价格）却仿佛成为了它最大的 硬伤 。好消息是，通过所谓的 D NAND 方案（基于现有的SSD技术） 在的核心上堆叠更多的层位 英特尔和三星已经解决了这个问题。此外，新款三星850 EVO已能够在U盘大小的外壳中，封装下120GB的存储容量。当然，大家的研究不会止步于此。

    Crossbar（一家成立于2010年的初创企业），已经在另一种替代品 电阻式随机存储记忆体 （resistive random access memory，简称RRAM）上 投入了大量的时间和资金。

这是一种 非易失性 的随机存取器，可以在切断外接供电的情况下保存信息。相比之下，计算机上的DRAM内存会在断电后即丢失数据。

Crossbar的方法是将RRAM堆成一个立方体状的结构，并且在三个维度上展开。如此一来，在单芯片上提供1TB的存储容量也在理论上有了可能。

不过这么做也会有点问题，那就是 电流泄露 会造成功耗大幅增加，甚至致使整块 硬盘 根本无法使用。

巧妙的是，Crossbar采用了 多个并行传导路径来控制电流泄露，以限制阵列的最大范围和增加的功耗 的方式。

工程师将该技术称作 单晶体管驱动电子存储单元 （1 Transistor Driving n Resistive memory cell），简称 1TnR 其可以将高达2000个存储单元连结到一起。

Crossbar称，该公司已验证过这项避免电流泄漏的技术，这意味着我们距离实际用上高容量驱动器又进了一步。更重要的是，该设计可承受上亿次的使用周期，开关状态切换的延时也只有50ns不到。

最后，鉴于该公司并未透露有哪些 阿尔法客户 对这项技术感兴趣，因此在2015年年末之前，我们也许还无法在消费级零售市场见到相干产品。 

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