发表全新的高速伏特.DG

已经是我国向体育强国迈进的一个重要因素美商亚德诺公司(Analog Devices；ADI)发表全新的高速18伏特MOSFET(金属氧化半导体场效晶体管)驱动器家族，能提供2A与4A的峰值电流，同时具有14ns至 5ns(毫微秒)的最低传播延迟，以及10ns至25ns的边缘上升/下降时间。

全新的ADP 6xx MOSFET驱动器家族以其过热保护功能、电压过低锁定(UVLO)功能与精密关闭能力，使系统的保护性与可靠性获得改善。这些驱动器可用来补强脉宽调变(PWM)控制器(如ADP 104 A数字控制器)，进而改善系统的效率，同时使隔离式电力转换与马达控制系统应用领域当中的高切换频率得以实现。

这个高电流驱动、双高速18伏特驱动器的新家族，能够驱动两组独立的N通道电力MOSFET，并且采用业界标准的封装尺寸。这些组件具有内部的温度传感器，提供两种位准的过热保护功能：在极端接合点温度下的过热警告以及过热关闭。藉由精密的内部比较器所产生的关闭功能，提供了允许多余过电压保护的快速系统致能或是关闭，补强了开关器的保护功能。

此外，宽广的输入电压范围使驱动器能够与模拟式和数字式PWM控制器兼容。数字电力控制器乃是由低电压电源提供电力，而驱动器则是由较高电压的电源提供电力。与低电压数字控制器搭配使用时，UVLO以及磁滞(hysteresis)功能允许较高电压电源供应的安全启动与关闭。该组件家族采用耐热度增强的SOIC_N_EP以及MINI_SO_EP封装，藉以使其在小区域印刷电路板(PCB)中的高频率驱动能力最大化。

高速MOSFET驱动器ADP 6xx家族的主要特点与优点：高达18伏特的输入，使这些组件适用于12伏特的电源供应；高速度的切换为效率的改善与高切换频率作业提供了低传播延迟以及快速的边缘上升/下降时间；过热警告以及过热关闭的特点使系统的安全性与保护获得改善；精密关闭功能提供对抗灾难失误(catastrophic failure)与损害的备用保护功能。UVLO功能为所有的启动与关闭架构中的驱动整合性提供了保证。